China necesita adquirir la capacidad de fabricar chips de vanguardia. Las sanciones de EEUU y Países Bajos impiden a sus fabricantes de semiconductores acceder a los equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML, lo que ha provocado que las compañías chinas que se dedican al diseño de máquinas de fotolitografía, como SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) o Shanghai Yuliangsheng Technology, estén dedicando muchos recursos al desarrollo de sus propios equipos de ultravioleta profundo (UVP).
No obstante, hay otro camino hacia los circuitos integrados más avanzados. Y el Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) parece haberlo encontrado. DigiTimes ha desvelado que este centro de investigación ha conseguido integrar experimentalmente transistores de tipo GAA (Gate-All-Around) de nanosheets apiladas utilizando litografía UVP. Estos son los transistores de última generación que los fabricantes de chips que lideran la industria están utilizando en sus circuitos integrados más avanzados.
Samsung los introdujo en 2022 en sus semiconductores de 3 nm. TSMC hizo lo mismo en 2025, en sus chips de 2 nm. E Intel apostó por ellos en 2025 con su proceso 18A, que incorpora sus transistores GAA RibbonFET. Lo más sorprendente es que estas tres compañías están produciendo sus circuitos integrados más avanzados usando los equipos de fotolitografía UVE de ASML, y, según DigiTimes, IMECAS ha conseguido integrar transistores GAA empleando tecnología UVP, una litografía que al menos una de sus empresas, Shanghai Yuliangsheng Technology, ya es capaz de producir.
Los chips de 3 nm aún están lejos
China no ha encontrado la forma de fabricar circuitos integrados de 3 nm utilizando litografía UVP: ha logrado integrar transistores GAA con nanosheets apiladas empleando esta litografía. Esto no significa en absoluto que sus fabricantes de semiconductores vayan a poder producir chips de 3 nm con las máquinas UVP que tienen en su poder a corto plazo, pero, en teoría, el logro de IMECAS abre una posible vía hacia los 3 nm sin utilizar litografía UVE. No está nada mal.
